Université Lyon 1
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  • Unité d'enseignement : Capteurs et dispositifs semiconducteurs
Nombre de crédits de l'UE : 6
Code APOGEE : GEP3040L
    Responsabilité de l'UE :
KLEIMANN PASCAL
 pascal.kleimannuniv-lyon1.fr
04.72.44.62.59
    Type d'enseignement
Nb heures *
Cours Magistraux (CM)
30 h
Travaux Dirigés (TD)
30 h

* Ces horaires sont donnés à titre indicatif.

    Pré-requis :
UE Bases de l'électricité
    Compétences attestées (transversales, spécifiques) :
Physique des semiconducteurs
Théorie des bandes d'énergies
Physique des jonctions et des transistors
Capteurs semiconducteurs
    Programme de l'UE / Thématiques abordées :

Ce cours a pour objectif de présenter les propriétés exceptionnelles des matériaux semiconducteurs que l’on retrouve dans tous les domaines de l’électronique et de l’instrumentation.

Après avoir passé en revue les composants élémentaires de l’électronique et rappelé leur intérêt, nous nous intéresserons aux propriétés de conduction électrique dans la matière, afin de comprendre les différences entre métaux, isolants et semiconducteurs. Ce volet physique nous permettra d’expliquer le principe de fonctionnement des jonctions, des transistors bipolaires et à effets de champ, ainsi que des capteurs semiconducteurs.

Ce cours est articulé autour de 6 chapitres :

Chapitre 1 : Composants élémentaires de l’électronique et fonction capteur.

Chapitre 2 : Théorie élémentaire de la conduction électrique dans les métaux – Capteurs résistifs

Chapitre 3 : Conduction électrique dans les semiconducteurs. Théorie des bandes.

Chapitre 4 : Jonctions à base de semiconducteurs.

Chapitre 5 : Le transistors bipolaire.

Chapitre 6 : Le transistor à effet de champ.

 

Date de la dernière mise-à-jour : 05/07/2022
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